iPhone 6時代TLC首次進(jìn)入到iPhone當(dāng)中，掀起一波查詢閃存類型熱潮。如今QLC降臨，手機和固態(tài)硬盤買回來之后，你是否擔(dān)心會收到"意外驚喜"？

作為高價值的精密產(chǎn)品，像搶發(fā)評測的數(shù)碼達(dá)人那樣自己動手拆解并不現(xiàn)實。

通過愛思助手的"硬盤詳情"功能可以查看iPhone所用的閃存類型：tlc_3d_g3_2p_256

TLC很容易理解，它的每個存儲單元可以記憶3個比特數(shù)據(jù)。近一段時間流行的"三進(jìn)制計算機"理論其實也是基于類似的原理，目的都是為了擴(kuò)展數(shù)據(jù)容量。

接下來的3d_g3在這里指的是東芝第三代BiCS架構(gòu)閃存。

早在2007年，東芝就在IEEE學(xué)術(shù)會議上展示了3D閃存技術(shù)，并在接下來推動BiCS閃存堆疊層數(shù)的增加以及SSD應(yīng)用的發(fā)展。

同樣的閃存也被應(yīng)用在東芝TR200固態(tài)硬盤當(dāng)中。BiCS3為64層堆疊結(jié)構(gòu)，只有TLC一種類型。

接下來的2p_256代表的則是一個閃存device包含兩個plane閃存平面，總?cè)萘?56Gb。下圖是一個2Plane閃存的示意圖，不過它的容量更大，總?cè)萘渴?12Gb。

東芝TR200當(dāng)中的TOSHIBA主控及上面提到的這種512Gb容量BiCS3閃存顆粒。與手機硬盤芯片不同的是，固態(tài)硬盤的主控與閃存顆粒是分開的，并沒有集成在一起。

把上文iPhone XR中檢測到的硬盤描述符號連在一起就明確了，它使用的是東芝制造的BiCS3閃存，雙Plane設(shè)計，單die容量256Gb，由于這是一部128GB的機型，閃存中實際封裝有4個閃存晶粒以及相應(yīng)的閃存控制器。目前96層堆疊的BiCS4閃存已經(jīng)量產(chǎn)，或許在今年9月份的iPhone新品以及固態(tài)硬盤中我們就有機會見到它的身影。